U盤分為主控和閃存芯片，如果U盤的主控壞了，又沒(méi)有相同的主控代換，但是閃存芯片是好的，這就要用的專業(yè)的工具來(lái)讀取和分析芯片。

只要閃存不壞，數(shù)據(jù)就有恢復(fù)的希望。

閃存恢復(fù)用的專業(yè)的工具和專業(yè)的軟件。目前比較專業(yè)的要數(shù)PC3000和Flash Extractor。這兩種都是包括硬件和軟件的。軟件費(fèi)用在1.5W左右。專業(yè)的技術(shù)人員才能分析和使用。

閃存芯片分為三類
SLC、MLC和TLC芯片
什么是SLC
SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式貯存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等運(yùn)用。
SLC技能特點(diǎn)是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數(shù)據(jù)時(shí)通過(guò)對(duì)浮置閘極的電荷加電壓，然后透過(guò)源極，即可將所貯存的電荷消除，通過(guò)這樣的方法，便可貯存1個(gè)信息單元，這種技能能供給快速的程序編程與讀取，不過(guò)此技能受限于Silicon efficiency的問(wèn)題，有必要要由較先進(jìn)的流程強(qiáng)化技能(Process enhancements)，才干向上提高SLC制程技能。
什么是MLC
MLC英文全稱（Multi Level Cell——MLC)即多層式貯存。主要由東芝、Renesas、三星運(yùn)用。
英特爾（Intel）在1997年9月最早開(kāi)發(fā)成功MLC，其作用是將兩個(gè)單位的信息存入一個(gè)Floating
Gate（閃存存儲(chǔ)單元中寄存電荷的部分），然后運(yùn)用不同電位（Level）的電荷，通過(guò)內(nèi)存貯存的電壓控制精準(zhǔn)讀寫。MLC通過(guò)運(yùn)用許多的電壓等級(jí)，每個(gè)單元貯存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較大。SLC架構(gòu)是0和1兩個(gè)值，而MLC架構(gòu)能夠一次貯存4個(gè)以上的值，因而，MLC架構(gòu)能夠有比較好的貯存密度。
與SLC比較MLC的優(yōu)勢(shì)
簽于現(xiàn)在市場(chǎng)主要以SLC和MLC貯存為主，我們多了解下SLC和MLC貯存，而且能夠運(yùn)用老舊的出產(chǎn)程備來(lái)提高產(chǎn)品的容量，無(wú)須額定出資出產(chǎn)設(shè)備，具有本錢與良率的優(yōu)勢(shì)。
與SLC比較較，MLC出產(chǎn)本錢較低，容量大。如果通過(guò)改善，MLC的讀寫功能應(yīng)該還能夠進(jìn)一步提高。
與SLC比較MLC的缺陷
MLC架構(gòu)有許多缺陷，首先是運(yùn)用壽命較短，SLC架構(gòu)能夠?qū)懭?0萬(wàn)次，而MLC架構(gòu)只能接受約1萬(wàn)次的寫入。
其次就是存取速度慢，在現(xiàn)在技能條件下，MLC芯片理論速度只能到達(dá)6MB左右。SLC架構(gòu)比MLC架構(gòu)要快速三倍以上。
再者，MLC能耗比SLC高，在相同運(yùn)用條件下比SLC要多15%左右的電流耗費(fèi)。
盡管與SLC比較，MLC缺陷許多，但在單顆芯片容量方面，現(xiàn)在MLC仍是占了肯定的優(yōu)勢(shì)。因?yàn)镸LC架構(gòu)和本錢都具有肯定優(yōu)勢(shì)，能滿意2GB、4GB、8GB乃至更大容量的市場(chǎng)需求。